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High Performance Thin Film Transistors With Sputtered In-Al-Zn-O Channel and Different Source/Drain Electrodes

发布时间:2019-06-07
点击次数:
所属单位:
微电子学院
发表刊物:
IEEE Electron Device Letters
全部作者:
栾彩娜,韩琳,冯先进
第一作者:
徐伟东
论文类型:
基础研究
论文编号:
54FA9F2D07C040D0BD1381117AACFD93
卷号:
40
期号:
2
页面范围:
247
是否译文:
发表时间:
2019-02-01