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论文成果
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采用射频磁控溅射法在Si (111) 衬底上生长β-Ga2O3 薄膜
发布时间:2019-10-22
点击次数:
所属单位:
物理学院
发表刊物:
《功能材料》
全部作者:
栾彩娜,马瑾,林兆军,宗福建,张锡健
第一作者:
肖洪地
论文类型:
基础研究
论文编号:
lw-73891
卷号:
v 37
期号:
n SUPPL.
页面范围:
1
是否译文:
否
发表时间:
2006-10-15
上一条:
Structural and optical properties of single crystalline columbite tin oxide film
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Preparation and characterization of Al2xIn22xO3 films deposited on MgO (10 0) by MOCVD