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栾彩娜
高级实验师
硕士生导师
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论文成果
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Structure and photoluminescence properties of epitaxial SnO2 films grown on alpha-Al2O3 (012) by MOCVD
所属单位:
物理学院
发表刊物:
Journal of Luminescence
全部作者:
栾彩娜
第一作者:
马瑾
论文类型:
基础研究
论文编号:
lw-98276
卷号:
131
期号:
1
页面范围:
88
是否译文:
否
发表时间:
2011-01-20
上一条:
Structural and opticalproperties of β-Ga2O3 films deposited on MgAl2O4 (1 00) substrates by metal–organic chemical vapor deposition
下一条:
Epitaxial relationships and optical properties of SnO2 films deposited on sapphire substrates
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