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栾彩娜
高级实验师
硕士生导师
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论文成果
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Characterizationofhomoepitaxial β-Ga2O3 films prepared by metal–organic chemical vapor deposition
所属单位:
物理学院
发表刊物:
Journal of crystal growth
全部作者:
栾彩娜
第一作者:
马瑾
论文类型:
基础研究
论文编号:
lw-155135
卷号:
404
页面范围:
75
是否译文:
否
发表时间:
2014-07-17
上一条:
Structure and Optical Properties of Epitaxial Indium Oxide Films Deposited on Y-Stabilized ZrO2 (111) by MOCVD
下一条:
Effect of annealing on the structural and UV photoluminescence properties of Sb-doped SnO2 films deposited on Al2O3 (0001) substrates by RF magnetron sputtering
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