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栾彩娜
高级实验师
硕士生导师
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论文成果
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Heteroepitaxy of SnO2 thin filmson m-plane sapphire by MOCVD
所属单位:
物理学院
发表刊物:
Journal of crystal growth
全部作者:
栾彩娜
第一作者:
马瑾
论文类型:
基础研究
论文编号:
lw-98314
卷号:
324
期号:
1
页面范围:
98
是否译文:
否
发表时间:
2011-06-01
上一条:
Structural and optical properties of Ga2O3:In films deposited on MgO(100) substrates by MOCVD
下一条:
Structure and Optical Properties of Epitaxial Indium Oxide Films Deposited on Y-Stabilized ZrO2 (111) by MOCVD
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