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栾彩娜
高级实验师
硕士生导师
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论文成果
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High Performance Thin Film Transistors With Sputtered In-Al-Zn-O Channel and Different Source/Drain Electrodes
所属单位:
微电子学院
发表刊物:
IEEE Electron Device Letters
全部作者:
栾彩娜,韩琳,冯先进
第一作者:
徐伟东
论文类型:
基础研究
论文编号:
54FA9F2D07C040D0BD1381117AACFD93
卷号:
40
期号:
2
页面范围:
247
是否译文:
否
发表时间:
2019-02-01
上一条:
Structural and optical properties of anatase TiO2 heteroepitaxial films prepared by MOCVD
下一条:
Fabrication and properties of high quality InGaN-based LEDs with highly reflective nanoporous GaN mirrors
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