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Preparation and characterization of Al2xIn22xO3 films deposited on MgO (10 0) by MOCVD

发布时间:2019-10-24
点击次数:
所属单位:
集成电路学院
发表刊物:
Materials Research Bulletin
全部作者:
马瑾,栾彩娜,冯先进
第一作者:
马瑾
论文编号:
lw-171206
字数:
4
是否译文:
发表时间:
2015-07-16