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论文成果
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采用射频磁控溅射法在Si (111) 衬底上生长β-Ga2O3 薄膜
发布时间:2019-10-24
点击次数:
所属单位:
物理学院
发表刊物:
《功能材料》
全部作者:
肖洪地,栾彩娜,马瑾,林兆军,宗福建,张锡健
第一作者:
肖洪地
论文编号:
lw-73891
卷号:
v 37
期号:
n SUPPL.
页面范围:
1
字数:
3000
是否译文:
否
发表时间:
2006-10-15
上一条:
Structural, photoelectrical and photoluminescence properties of Ta-doped SnO2 monocrystal films grown on MgF2 (110) substrates
下一条:
Deposition and characterization of epitaxial Ta-doped TiO2 films for ultraviolet photoelectric detectors