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Structural and electrical properties of SnO2 films grown on r-cut sapphire at different substrate temperature by MOCVD

发布时间:2019-10-24
点击次数:
所属单位:
物理学院
发表刊物:
VACUUM
全部作者:
栾彩娜,马瑾
第一作者:
栾彩娜
论文编号:
lw-154471
卷号:
99
页面范围:
110
字数:
3000
是否译文:
发表时间:
2014-01-15