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Structure and growth mechanism of quasi-aligned GaN layer-built nanotowers

发布时间:2019-10-24
点击次数:
所属单位:
微电子学院
发表刊物:
Applied Physics Letters
全部作者:
刘建强,肖洪地,栾彩娜,冀子武
第一作者:
崔积适
论文类型:
基础研究
论文编号:
lw-198436
卷号:
100
页面范围:
213101
是否译文:
发表时间:
2012-06-13