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Characterization of tunable band gap aluminum indium oxide films prepared on SiO2 (0001) by MOCVD

发布时间:2019-10-24
点击次数:
所属单位:
集成电路学院
发表刊物:
Journal of Materials Science: Materials in Electronics
全部作者:
马瑾,栾彩娜
第一作者:
马瑾
论文编号:
lw-178176
字数:
4
是否译文:
发表时间:
2016-01-08