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Fabrication and properties of wafer-scale nanoporous GaN distributed Bragg reflectors with strong phase-separated InGaN/GaN layers

发布时间:2020-03-20
点击次数:
所属单位:
集成电路学院
发表刊物:
JOURNAL OF ALLOYS AND COMPOUNDS
全部作者:
栾彩娜,刘建强,马瑾,肖洪地
第一作者:
赵冲冲
论文编号:
9E69CB348008417DA8FC1FF8C1BE8B49
卷号:
789
页面范围:
658
是否译文:
发表时间:
2019-06-15