Epitaxial growth of Ga2O3 thin films on MgO(110) substrate by metal–organic chemical vaporde position
点击次数：
所属单位：物理学院
发表刊物：Journal of crystal growth
第一作者：马瑾
论文类型：基础研究
论文编号：lw-135927
卷号：354
页面范围：93
是否译文：否
发表时间：2012-06-17
发表时间：2012-06-17
高级实验师 硕士生导师
性别：女
毕业院校：山东大学
学历：研究生(博士)毕业
学位：博士
在职信息：在职
所在单位：集成电路学院
入职时间：2005-07-16
学科：微电子学与固体电子学
Epitaxial growth of Ga2O3 thin films on MgO(110) substrate by metal–organic chemical vaporde position
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所属单位：物理学院
发表刊物：Journal of crystal growth
第一作者：马瑾
论文类型：基础研究
论文编号：lw-135927
卷号：354
页面范围：93
是否译文：否
发表时间：2012-06-17
发表时间：2012-06-17