Enhancement in light-emission efficiency of InGaN/GaN multiple quantum well layer by a porous-GaN mirror
发布时间：2021-06-02
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- 所属单位：
- 微电子学院
- 发表刊物：
- VACUUM Journal
- 第一作者：
- 赵冲冲
- 论文类型：
- 基础研究
- 论文编号：
- 78ACE850924B4014BC156C70FF59FDAD
- 卷号：
- 182
- 是否译文：
- 否
- 发表时间：
- 2020-12-01