Enhancement in light-emission efficiency of InGaN/GaN multiple quantum well layer by a porous-GaN mirror
发布时间：2021-06-02
点击次数：
- 所属单位：
- 集成电路学院
- 论文名称：
- Enhancement in light-emission efficiency of InGaN/GaN multiple quantum well layer by a porous-GaN mirror
- 发表刊物：
- VACUUM
- 第一作者：
- 赵冲冲
- 论文编号：
- 78ACE850924B4014BC156C70FF59FDAD
- 卷号：
- 182
- 字数：
- 4
- 是否译文：
- 否
- 发表时间：
- 2020-12
- 发布时间：
- 2021-06-02