Structural and electrical properties of epitaxial SnO2: Sb films deposited on 6 H-SiC by MOCVD
发布时间：2021-09-30
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- 所属单位：
- 集成电路学院
- 发表刊物：
- Journal of Materials Science: Materials in Electronics
- 第一作者：
- 栾彩娜
- 论文编号：
- 062581828EBA4033A88622C46DF3939D
- 卷号：
- 32
- 期号：
- 16
- 页面范围：
- 21798
- 字数：
- 3000
- 是否译文：
- 否
- 发表时间：
- 2021-08-01