Vertical nanoporous GaN substrates for photonic engineering: Lu2O3:Eu single crystal thin films as an example
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所属单位：微电子学院
发表刊物：JOURNAL OF ALLOYS AND COMPOUNDS
第一作者：肖洪地
论文类型：基础研究
论文编号：91AE9D0F46CE49B684F39EBF9749BF06
期号：892
页面范围：162069
字数：4
是否译文：否
发表时间：2021-09-23
发表时间：2021-09-23