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栾彩娜
高级实验师
硕士生导师
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论文成果
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Characterization of Rutile SnO2 Epitaxial Films Grown on MgF2 (001) Substrates by MOCVD
所属单位:
集成电路学院
发表刊物:
Crystal Research and Technology
第一作者:
栾彩娜
论文编号:
0594DF206D0340898C8FFB48CD9E2B87
卷号:
53
期号:
10
字数:
3000
是否译文:
否
发表时间:
2018-09-21
上一条:
Effect of niobium doping on the structural, electrical and optical properties of epitaxial SnO2 films on MgF2 (110) substrates by MOCVD
下一条:
Structural, photoelectrical and photoluminescence properties of Ta-doped SnO2 monocrystal films grown on MgF2 (110) substrates
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