栾彩娜

高级实验师

硕士生导师

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论文成果
Structure and growth mechanism of quasi-aligned GaN layer-built nanotowers
  • 所属单位:
    集成电路学院
  • 发表刊物:
    Journal of the American Ceramics Society
  • 第一作者:
    栾彩娜
  • 论文编号:
    45C244C378A5447682530827A651DFF7
  • 卷号:
    103
  • 期号:
    4
  • 页面范围:
    2555
  • 字数:
    3000
  • 是否译文:
  • 发表时间:
    2019-11-27
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