栾彩娜

高级实验师

硕士生导师

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论文成果
Fabrication and improved photoelectrochemical properties of a transferred GaN-based thin film with InGaN/GaN layers
  • 所属单位:
    集成电路学院
  • 发表刊物:
    VACUUM
  • 论文编号:
    FEF77AD6CC35467AB10E6D0389F35D66
  • 期号:
    215
  • 字数:
    3
  • 是否译文:
  • 发表时间:
    2023-06-17
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