Vertical nanoporous GaN substrates for photonic engineering: Lu2O3:Eu single crystal thin films as an example
发布时间：2024-01-09
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- 所属单位：
- 集成电路学院
- 发表刊物：
- JOURNAL OF ALLOYS AND COMPOUNDS
- 关键字：
- electrochemical etching;Lu2O3:Eu film;nanoporous GaN array;PL intensity;PLD
- 第一作者：
- 刘杰
- 论文编号：
- 1478208142180356098
- 卷号：
- 892
- 字数：
- 4
- 是否译文：
- 否
- 发表时间：
- 2022-02-05