High crystal quality β-Ga2O3 epitaxial films grown on porous n-GaN substrates
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所属单位：集成电路学院
发表刊物：Materials Science in Semiconductor Processing
第一作者：陈蓉蓉
论文编号：6E9E1B6ECCDA49DFBD33446AD41152BE
期号：168
页面范围：107859
字数：4
是否译文：否
发表时间：2023-11-01
发表时间：2023-11-01