High crystal quality β-Ga2O3 epitaxial films grown on porous n-GaN substrates
发布时间：2024-01-10
点击次数：
- 所属单位：
- 集成电路学院
- 发表刊物：
- Materials Science in Semiconductor Processing
- 第一作者：
- 陈蓉蓉
- 论文编号：
- 6E9E1B6ECCDA49DFBD33446AD41152BE
- 期号：
- 168
- 页面范围：
- 107859
- 字数：
- 4
- 是否译文：
- 否
- 发表时间：
- 2023-11-01