High responsivity self-powered DUV photodetectors based on β-Ga2O3/GaN heterogeneous PN junctions
点击次数：
所属单位：集成电路学院
发表刊物：VACUUM
第一作者：陈蓉蓉
论文编号：D2DEEC33D7A047589D852B54C4B1E38C
期号：215
页面范围：112332
字数：4
是否译文：否
发表时间：2023-09-01
发表时间：2023-09-01
高级实验师 硕士生导师
性别：女
毕业院校：山东大学
学历：研究生(博士)毕业
学位：博士
在职信息：在职
所在单位：集成电路学院
入职时间：2005-07-16
学科：微电子学与固体电子学
High responsivity self-powered DUV photodetectors based on β-Ga2O3/GaN heterogeneous PN junctions
点击次数：
所属单位：集成电路学院
发表刊物：VACUUM
第一作者：陈蓉蓉
论文编号：D2DEEC33D7A047589D852B54C4B1E38C
期号：215
页面范围：112332
字数：4
是否译文：否
发表时间：2023-09-01
发表时间：2023-09-01