Fabrication, properties, and photodetector of β-(AlxGa1-x)2O3/GaN heteroepitaxial films grown by MOCVD
发布时间：2025-01-11
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- 所属单位：
- 集成电路学院
- 发表刊物：
- Ceramics International
- 第一作者：
- 陈蓉蓉
- 论文编号：
- 1747174632788680706
- 卷号：
- 50
- 期号：
- 6
- 页面范围：
- 9363-9371
- 字数：
- 4000
- 是否译文：
- 否
- 发表时间：
- 2024-01-01