Influence of the ratio of gate length to drain-to-source distance on the electron mobility in AlGaN/AlN/GaN heterostructure field-effect transistors
发布时间：2019-04-14
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- 所属单位：
- 物理学院
- 论文名称：
- Influence of the ratio of gate length to drain-to-source distance on the electron mobility in AlGaN/AlN/GaN heterostructure field-effect transistors
- 发表刊物：
- Nanoscale research letters
- 第一作者：
- 林兆军
- 全部作者：
- 孟令国
- 论文类型：
- 基础研究
- 论文编号：
- lw-137944
- 卷号：
- 7
- 页面范围：
- 434
- 是否译文：
- 否
- 发表时间：
- 2012-08
- 发布时间：
- 2019-04-14