所属单位：

物理学院

论文名称：

Extraction of AlGaN/GaN heterostructure Schottky diode barrier heights from forward current-voltage characteristics

发表刊物：

Journal of applied physics

第一作者：

林兆军

全部作者：

孟令国

论文类型：

基础研究

论文编号：

lw-96709

卷号：

109

期号：

7

页面范围：

074512-1

是否译文：

否

发表时间：

2011-04

发布时间：

2019-04-14