Extraction of AlGaN/GaN heterostructure Schottky diode barrier heights from forward current-voltage characteristics
发布时间：2019-04-14
点击次数：
- 所属单位：
- 物理学院
- 发表刊物：
- Journal of applied physics
- 全部作者：
- 孟令国
- 第一作者：
- 林兆军
- 论文类型：
- 基础研究
- 论文编号：
- lw-96709
- 卷号：
- 109
- 期号：
- 7
- 页面范围：
- 074512-1
- 是否译文：
- 否
- 发表时间：
- 2011-04-08