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Influence of thermal stress on the relative permittivity of the AlGaN barrier layer in an AlGaN/GaN heterostructure Schottky contacts

发布时间:2019-04-14
点击次数:
所属单位:
物理学院
发表刊物:
Chinese Physics B
全部作者:
孟令国
第一作者:
林兆军
论文类型:
基础研究
论文编号:
lw-96736
卷号:
20
期号:
9
页面范围:
097106 -1
是否译文:
发表时间:
2011-09-20