Influence of Ni Schottky contact thickness on two-dimensional electron-gas sheet carrier concentration of strained Al0.3Ga0.7N/GaN heterostructures
发布时间：2019-10-22
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- 所属单位：
- 物理学院
- 发表刊物：
- Journal of Semiconductors
- 全部作者：
- 孟令国
- 第一作者：
- 林兆军
- 论文类型：
- 基础研究
- 论文编号：
- lw-96784
- 卷号：
- 31
- 期号：
- 8
- 页面范围：
- 084007-1
- 是否译文：
- 否
- 发表时间：
- 2010-08-30