Polarization Coulomb field scattering in In0.18Al0.82N/AlN/GaN heterostructure field-effect transistors
发布时间:2019-10-22
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- 所属单位:
- 物理学院
- 发表刊物:
- Journal of applied physics
- 全部作者:
- 孟令国
- 第一作者:
- 林兆军
- 论文类型:
- 基础研究
- 论文编号:
- lw-137932
- 卷号:
- 112
- 页面范围:
- 054513
- 是否译文:
- 否
- 发表时间:
- 2012-09-14
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