所属单位：

物理学院

论文名称：

Polarization Coulomb field scattering in AlGaN/AlN/GaN heterostructure field-effect transistors

发表刊物：

APPLIED PHYSICS LETTERS

第一作者：

林兆军

全部作者：

孟令国,林兆军

论文编号：

lw-96689

卷号：

98

期号：

12

页面范围：

123512-1

字数：

3000

是否译文：

否

发表时间：

2011-03

发布时间：

2019-10-24