所属单位：

物理学院

论文名称：

Extraction of AlGaN/GaN heterostructure Schottky diode barrier heights from forward current-voltage characteristics

发表刊物：

JOURNAL OF APPLIED PHYSICS

第一作者：

林兆军

全部作者：

孟令国,林兆军

论文编号：

lw-96709

卷号：

109

期号：

7

页面范围：

074512-1

字数：

3500

是否译文：

否

发表时间：

2011-04

发布时间：

2019-10-24