Toward Unusual-High Hole Mobility of p-Channel Field-Effect-Transistors
发布时间：2021-10-05
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- 所属单位：
- 物理学院
- 发表刊物：
- Small
- 第一作者：
- 孙嘉敏
- 论文类型：
- 基础研究
- 论文编号：
- 650F95C0277B4208AB705D37C078516E
- 卷号：
- 17
- 期号：
- 37
- 字数：
- 5
- 是否译文：
- 否
- 发表时间：
- 2021-09-01
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