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The Topological Hall Effect in CoGd Films Controlled by Hydrogen Migration under Gate Voltage. Advanced Electronic Materials 2024, 10, 2300752.
发布时间：2024-09-09
点击次数：
论文类型：
基础研究
是否译文：
否
发表时间：
2024-05-01
收录刊物：
SCI
下一条：
Control of Compensation Temperature in CoGd Films through Hydrogen and Oxygen Migration under Gate Voltage. Nano Letters 2023, 23, (13), 5927-5933.
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