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桑鹏鹏
副研究员
所属院部:
信息科学与工程学院
访问次数:
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Toward high-performance monolayer graphdiyne transistor: Strain engineering matters
发布时间:2025-09-30
所属单位:
信息科学与工程学院
论文名称:
Toward high-performance monolayer graphdiyne transistor: Strain engineering matters
发表刊物:
Applied Surface Science
第一作者:
桑鹏鹏
论文编号:
5303AC3580424AB9807A9BA2A1936FF8
期号:
536
字数:
5000
是否译文:
否
发表时间:
2021-01
发布时间:
2025-09-30
上一条:
First-Principles Predictions of Monolayer Violet Phosphorene for Nanoscale Field-Effect Transistor Applications
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Two-Dimensional Silicon Atomic Layer Field-Effect Transistors: Electronic Property, Metal-Semiconductor Contact, and Device Performance
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