所属单位：

集成电路学院

论文名称：

Schottky-barrier thin-film transistors based on HfO2-capped InSe

发表刊物：

APPLIED PHYSICS LETTERS

第一作者：

辛倩

全部作者：

宋爱民,王一鸣,时彦朋,张翼飞,辛倩

论文编号：

7B2AFA27B7F54882ACFDC3B4111227BF

卷号：

115

期号：

1

字数：

4500

是否译文：

否

发表时间：

2019-07

发布时间：

2019-10-25