Amorphous-InGaZnO Thin-Film Transistors Operating Beyond 1 GHz Achieved by Optimizing the Channel and Gate Dimensions
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所属单位：集成电路学院
发表刊物：IEEE Transactions on Electron Devices
论文编号：A463292AAD9345A8873E96D117A76844
期号：4
页面范围：1377
字数：5000
是否译文：否
发表时间：2018-03-05
发表时间：2018-03-05