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Half-volt operation of IGZO thin-film transistors enabled by ultrathin HfO2 gate dielectric

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所属单位：微电子学院

发表刊物：Applied physics letters

全部作者：辛倩,李玉香,宋爱民

第一作者：马鹏飞

论文类型：应用研究

论文编号：BCE60C230EC744E29AE7416AA84BAF14

卷号：113

期号：6

是否译文：否

发表时间：2018-08-06

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