Low voltage operation of IGZO thin film transistors enabled by ultrathin Al2O3 gate dielectric
发布时间：2019-04-14 点击数：
所属单位：微电子学院
论文名称：Low voltage operation of IGZO thin film transistors enabled by ultrathin Al2O3 gate dielectric
发表刊物：Applied physics letters
第一作者：马鹏飞
全部作者：王一鸣,辛倩,李玉香,宋爱民
论文类型：应用研究
论文编号：CC8950350E17457388301840E2318F53
卷号：112
期号：2
是否译文：否
发表时间：2018-01