宋爱民 (教授)

教授 博士生导师 硕士生导师

性别:男

毕业院校:山东大学

学历:研究生(博士)毕业

学位:博士生

在职信息:在职

所在单位:微电子学院

办公地点:软件园校区

电子邮箱:songam@sdu.edu.cn

   
当前位置: 中文主页 >> 科学研究 >> 论文成果

Low voltage operation of IGZO thin film transistors enabled by ultrathin Al2O3 gate dielectric

点击次数:

所属单位:微电子学院

发表刊物:Applied physics letters

全部作者:王一鸣,辛倩,李玉香,宋爱民

第一作者:马鹏飞

论文类型:应用研究

论文编号:CC8950350E17457388301840E2318F53

卷号:112

期号:2

是否译文:

发表时间:2018-01-08

发表时间:2018-01-08

上一条: Low-Voltage, Flexible IGZO Transistors Gated by PSSNa Electrolyte

下一条: Half-volt operation of IGZO thin-film transistors enabled by ultrathin HfO2 gate dielectric