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Thermally Evaporated SiO Serving as Gate Dielectric in Graphene Field-Effect Transistors

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所属单位：微电子学院

发表刊物：IEEE Transactions on Electron Devices

全部作者：张锡健,李玉香,陈秀芳,徐现刚,赵显,宋爱民

第一作者：杨乐陶

论文类型：基础研究

论文编号：C378AC35A5AB4595ADA7AFF720512A91

卷号： 64

期号：4

页面范围：1846

是否译文：否

发表时间：2017-04-01

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宋爱民 (教授)