Thermally Evaporated SiO Serving as Gate Dielectric in Graphene Field-Effect Transistors
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所属单位:微电子学院
发表刊物:IEEE Transactions on Electron Devices
全部作者:张锡健,李玉香,陈秀芳,徐现刚,赵显,宋爱民
第一作者:杨乐陶
论文类型:基础研究
论文编号:C378AC35A5AB4595ADA7AFF720512A91
卷号: 64
期号:4
页面范围:1846
是否译文:否
发表时间:2017-04-01
发表时间:2017-04-01