Improved performance of InSe field-effect transistors by channel encapsulation
发布时间：2019-04-14 点击数：
所属单位：微电子学院
论文名称：Improved performance of InSe field-effect transistors by channel encapsulation
发表刊物：Semiconductor Science and Technology
第一作者：梁广大
全部作者：杨再兴,辛倩,宋爱民
论文类型：基础研究
论文编号：229D178CE76143EAB1DD3BF02D002873
卷号：33
期号：6
是否译文：否
发表时间：2018-06