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Highly Optimized Complementary Inverters Based on p-SnO and n-InGaZnO With High Uniformity

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所属单位：微电子学院

发表刊物：IEEE Electron Device Letters

全部作者：辛倩,王一鸣,周莉,王卿璞,宋爱民

第一作者：杨进

论文类型：基础研究

论文编号：380A7EA0D0E84282A8B90E41FA3EADCD

卷号：39

期号：4

页面范围：516

是否译文：否

发表时间：2018-04-01

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宋爱民 (教授)