Ambipolar SnOx thin-film transistors achieved at high sputtering power
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所属单位：微电子学院
发表刊物：Applied physics letters
全部作者：辛倩,周莉,杨再兴,林兆军,王卿璞,宋爱民
第一作者：李云鹏
论文类型：基础研究
论文编号：66805FE4E7DA4BC8A74D901F42249EC2
卷号：112
期号：18
是否译文：否
发表时间：2018-04-30
发表时间：2018-04-30