Reactive evaporation of SiOx films for passivation of GaN high-electron-mobility transistors
发布时间：2019-06-08 点击数：
所属单位：微电子学院
论文名称：Reactive evaporation of SiOx films for passivation of GaN high-electron-mobility transistors
发表刊物：Journal of Physics and Chemistry of Solids
第一作者：朱庚昌
全部作者：陈秀芳,徐现刚,冯先进,宋爱民
论文类型：基础研究
论文编号：85535CE6C2014EA88B75ED455D46DDBD
卷号：129
页面范围：54
是否译文：否
发表时间：2019-06