High-Performance Ga2O3 Diode Based on Tin Oxide Schottky Contact
发布时间：2019-06-12 点击数：
所属单位：微电子学院
论文名称：High-Performance Ga2O3 Diode Based on Tin Oxide Schottky Contact
发表刊物：IEEE Electron Device Letters
第一作者：杜路路
全部作者：陶绪堂,宋爱民,辛倩,徐明升,穆文祥,王鑫煜,辛公明,贾志泰
论文类型：基础研究
论文编号：95E46522A7424B49812ABB6DBA13307C
卷号：40
期号：3
页面范围：451
是否译文：否
发表时间：2019-03