High-Performance Ga2O3 Diode Based on Tin Oxide Schottky Contact
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所属单位：微电子学院
发表刊物：IEEE Electron Device Letters
全部作者：陶绪堂,宋爱民,辛倩,徐明升,穆文祥,王鑫煜,辛公明,贾志泰
第一作者：杜路路
论文类型：基础研究
论文编号：95E46522A7424B49812ABB6DBA13307C
卷号：40
期号：3
页面范围：451
是否译文：否
发表时间：2019-03-01
发表时间：2019-03-01