Achieving high performance Ga2O3 diodes by adjusting chemical composition of tin oxide Schottky electrode
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所属单位：微电子学院
发表刊物：Semiconductor Science and Technology
全部作者：陶绪堂,宋爱民,徐明升,穆文祥,贾志泰,王鑫煜,辛公明
第一作者：辛倩
论文类型：基础研究
论文编号：343681EE28154666B317A53CC22C80CE
是否译文：否
发表时间：2019-06-06
发表时间：2019-06-06