Schottky-barrier thin-film transistors based on HfO2-capped InSe
发布时间：2019-10-13 点击数：
所属单位：微电子学院
论文名称：Schottky-barrier thin-film transistors based on HfO2-capped InSe
发表刊物：Applied physics letters
第一作者：辛倩
全部作者：宋爱民,王一鸣,时彦朋,张翼飞
论文类型：基础研究
论文编号：7B2AFA27B7F54882ACFDC3B4111227BF
是否译文：否
发表时间：2019-07