Schottky-barrier thin-film transistors based on HfO2-capped InSe
点击次数：
所属单位：微电子学院
发表刊物：Applied physics letters
全部作者：宋爱民,王一鸣,时彦朋,张翼飞
第一作者：辛倩
论文类型：基础研究
论文编号：7B2AFA27B7F54882ACFDC3B4111227BF
是否译文：否
发表时间：2019-07-16
发表时间：2019-07-16
教授 博士生导师 硕士生导师
性别：男
毕业院校：山东大学
学历：研究生(博士)毕业
学位：博士生
在职信息：在职
所在单位：微电子学院
办公地点：软件园校区
电子邮箱：songam@sdu.edu.cn
Schottky-barrier thin-film transistors based on HfO2-capped InSe
点击次数：
所属单位：微电子学院
发表刊物：Applied physics letters
全部作者：宋爱民,王一鸣,时彦朋,张翼飞
第一作者：辛倩
论文类型：基础研究
论文编号：7B2AFA27B7F54882ACFDC3B4111227BF
是否译文：否
发表时间：2019-07-16
发表时间：2019-07-16