High-Performance InGaZnO-Based ReRAMs
点击次数:
所属单位:集成电路学院
发表刊物:IEEE Transactions on Electron Devices
全部作者:王一鸣,辛倩,李玉香,宋爱民
第一作者:马鹏飞
论文编号:30A3D463D46B446FAF932289DEB289FE
卷号:66
期号:6
页面范围:2600
字数:4
是否译文:否
发表时间:2019-06-01
发表时间:2019-06-01
High-Performance InGaZnO-Based ReRAMs
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所属单位:集成电路学院
发表刊物:IEEE Transactions on Electron Devices
全部作者:王一鸣,辛倩,李玉香,宋爱民
第一作者:马鹏飞
论文编号:30A3D463D46B446FAF932289DEB289FE
卷号:66
期号:6
页面范围:2600
字数:4
是否译文:否
发表时间:2019-06-01
发表时间:2019-06-01