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Low voltage operation of IGZO thin film transistors enabled by ultrathin Al2O3 gate dielectric

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所属单位：微电子学院

发表刊物：Applied physics letters

全部作者：王一鸣,辛倩,李玉香,宋爱民

第一作者：马鹏飞

论文类型：应用研究

论文编号：CC8950350E17457388301840E2318F53

卷号：112

期号：2

是否译文：否

发表时间：2018-01-08

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宋爱民 (教授)