Improved performance of InSe field-effect transistors by channel encapsulation
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所属单位:微电子学院
发表刊物:Semiconductor Science and Technology
全部作者:王一鸣,杨再兴,辛倩,宋爱民,
第一作者:梁广大
论文类型:基础研究
论文编号:229D178CE76143EAB1DD3BF02D002873
卷号:33
期号:6
是否译文:否
发表时间:2018-06-01
发表时间:2018-06-01