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Ambipolar SnOx thin-film transistors achieved at high sputtering power

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所属单位：微电子学院

发表刊物：Applied physics letters

全部作者：辛倩,周莉,杨再兴,林兆军,王卿璞,宋爱民

第一作者：李云鹏

论文类型：基础研究

论文编号：66805FE4E7DA4BC8A74D901F42249EC2

卷号：112

期号：18

是否译文：否

发表时间：2018-04-30

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宋爱民 (教授)