GaN metal-oxide-semiconductor high-electron-mobility transistors using thermally evaporated SiO as the gate dielectric
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所属单位:微电子学院
发表刊物:Semiconductor Science and Technology
全部作者:王一鸣,辛倩,徐明升,陈秀芳,徐现刚,冯先进,宋爱民
第一作者:朱庚昌
论文类型:基础研究
论文编号:600382F594C94DF2908CDF75E37699EF
卷号:33
期号:9
是否译文:否
发表时间:2018-09-01
发表时间:2018-09-01