GaN metal-oxide-semiconductor high-electron-mobility transistors using thermally evaporated SiO as the gate dielectric
发布时间：2019-10-25 点击数：
所属单位：集成电路学院
论文名称：GaN metal-oxide-semiconductor high-electron-mobility transistors using thermally evaporated SiO as the gate dielectric
发表刊物：Semiconductor Science and Technology
第一作者：朱庚昌
全部作者：王一鸣,辛倩,徐明升,陈秀芳,徐现刚,冯先进,宋爱民
论文编号：600382F594C94DF2908CDF75E37699EF
卷号：33
期号：9
是否译文：否
发表时间：2018-09